Carbonization Layer Grown By Acetylene Reaction On Si(100) And (111) Surface Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Abstract

Permukaan karbonisasi pada Si(100) dan Si(111) menggunakan acetylene (C₂H₂) sebagai sumber karbon tunggal dibuat di dalam ruang endapan wap kimia (CVD) bertekanan rendah menggunakan teknik cepat panas. Kebergantungan kristaliniti, orientasi kristal dan keadaan ikatan lapisan karbonisasi ke atas kadar aliran acetylene, tekanan, suhu dan masa telah dievaluasi dengan menggunakan teknik pembelauan X–Ray dan analisis ‘electron probe microanalysis’. Lapisan karbonisasi stoikiometri dengan kristaliniti, orientasi kristal dan keadaan ikatan yang baik dapat dibentuk pada 1100°C dengan kadar aliran C₂H₂ sebanyak 2 sccm dan tekanan tindak balas pada 0.3 Torr. Kata kunci: Pembelauan X–ray; endapan wap kimia; campuran silikon separa–pengalir Surface carbonization on Si(100) and Si(111) using acetylene as single carbon source was performed in a low–pressure chemical vapor deposition chamber using rapid thermal technique. The dependences of crystallinity, crystal orientation and bonding state of carbonization layer on acetylene flow rates, pressures, temperatures and times were evaluated using X–ray diffractometry and electron probe microanalysis analytical techniques. The stoichiometric carbonization layer with good crystallinity, crystal orientation and bonding state was successfully formed at 1100°C with C₂H₂ flow rate of 2 sccm and reaction pressure of 0.3 Torr. Key words: X–ray diffraction; chemical vapor deposition; semiconducting silicon compounds